微电子系接两课题。
其一，光刻精度从现在的100纳米提高80纳米，并试着增加光刻规模。
光刻精度提升，晶体管变更，相同数量的晶体管耗电量降，现在的图形控制芯片耗电量42瓦，单纯提高精度至80纳米，不调整构架，保持相同数量晶体管，最优解功耗降低至27瓦。
精度提高才轮规模，每次精度的提升是换代，了保证良品率，规模重新从的做。
晶圆产业的良品率常规零部件的意义不那相同，比现在中原区普及的10微米精度的零件，一百不一定有次品。
芯片就完全是另一回，硅的纯度做不百分百，越接近边缘杂质越。杂质少芯片功耗升，勉强，是偶尔莫名其妙的烧毁，稍微那几万分一杂质或瑕疵，就导致芯片变废品。
所单芯片规模（面积）增，碰晶圆瑕疵的概率跟着变，就导致良品率降低，无脑提升规模的结果，生产变一从废品找良品的游戏。
一阶段的目标，是在精度换代，芯片规模由现在的100平方毫米提高144平方毫米，并试图保证良品率，精度规模两项提升加在一，足让晶体管翻倍有一点余量，达全面替代微……（内容加载失败！）
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