回了校，顾松始搜集现有的论文。
他估摸着林耀东肯定是海量搜集了，因林耀东有他目标明确。
顾松是直接始搜索硅穿孔技术（TSV）的相关资料。
TSV技术其实早在1964年就由IBM提了，并且在3年获了专利。
但技术运在芯片封装，解决很问题。
在本身就已经微米级甚至纳米级的制程搞工艺创新，涉及晶圆薄化、刻蚀、孔、晶圆颗粒接合、切割方方面面的难题。
，些工艺并非无迹寻。在现在，其实已经有了很的研究，顾松他找。
隔壁的三星，在06年完善了晶圆级TSV封装的技术，2D NAND堆了8层。
先TSV的工艺解决方案拿，再内存颗粒的浮动栅结构改电荷撷取闪存并且它3D化，就真了3D NAND。候层3D NAND再加层TSV封装，闪存芯片就彻底进入新代了。
至一代存储技术，等一波工艺水平提再说。
图书馆，顾松忙碌。
在武湖，岑巩始忙碌。
有了详实的资料，他负责张war3图编辑。
工，跟前相比有了些不一的趣味。
现在，他虽已经退了爱游网的序列，但仍暂在边工。
且被顾松安排在了他的……（内容加载失败！）
(ò﹏ò)
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