碳化硅半导体材料，在全球的各实验室已经有了广泛的研究，其中LED照明灯或者其他简易工业品，更是已经进行了工业化的生产。
同比硅芯片碳化硅的优点很。
例宽禁带达高达3.0eV3.25eV，让芯片的工环境温度提高800度。
温度耐受力，未什扇热器类的就不了，且在太空探索等条件恶劣的方。
其次，高的电子击穿场强带了半导体功率器件击穿电压的提高，碳化硅功率器件漂移区的宽带降低，因此功率器件减少，芯片体积做的更。
体积更的芯片是制造穿戴设备的关键，户不戴笨重的头盔或者是几斤的科技眼镜装X。
另外，碳化硅芯片抗辐力强，今在太空或者强辐领域工不有任何问题。普通的芯片或者电子类产品，在辐强的方基本失工力。
但是将碳化硅芯片，全球各实验室并有付诸实践，主原因就是技术问题。
现代工业技术不足将纠缠的量子放入色，并此基础进行运算，技术难度是很。
是目前三代半导体展的技术瓶颈，包括英特尔在内的半导体芯片企业，就算始使碳化硅三代半导体材料，同是……（内容加载失败！）
(ò﹏ò)
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